eos失效分析是一門新興發展中的學科，近年開始從軍工到普通企業普及。在提高產品質量，技術開發、改進，產品修復及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義，是根據失效模式和現象，通過分析和驗證，模擬重現失效的現象，找出失效的原因，挖掘出失效的機理的活動。
為了研究電過應力對功率MOSFET可靠性的影響，分別對含有焊料空洞、柵極開路和芯片裂紋缺陷的器件進行失效分析與可靠性研究。利用有限元分析、電路模擬及可靠性加速實驗，確定了器件發生EOS失效的根本原因。并通過優化芯片焊接溫度-時間曲線和利用開式感應負載測試方法，比較了工藝優化前、后器件抗EOS的能力，結果表明優化后器件的焊料空洞含量顯著減少，抗EOS能力得到明顯提高。
eos失效分析機制是導致零件、元器件和材料失效的物理或化學過程。此過程的誘發因素有內部的和外部的。在研究失效機制時，通常先從外部誘發因素和失效表現形式入手，進而再研究較隱蔽的內在因素。在研究批量性失效規律時，常用數理統計方法，構成表示失效機制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經濟損失之間關系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機制、方位和部位。
eos失效分析的相關內容擴展：
1、引起EOS原因
電源AC/DC干擾，電源雜訊，過電壓測試程序切換（熱切換）導致瞬變電流/峰值/低頻干擾。其時間微秒級別或ns，與ESD損壞類似閃電雷擊，測試程序開關引起的瞬態脈沖毛刺等其他設備的脈沖干擾。
工作流程不合理
接地點反跳：接地點不夠導致電流快速轉換引起高電壓。
2、失效描述
Ms擊穿失效，一般擊穿點位于芯片中間位置
Us擊穿失效，擊穿點隨機
雪崩擊穿
eos失效分析超過安全工作區域，開啟時柵壓不足，關斷時VDS較大
更新時間：2022-05-29 
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